|
Nemo
|
Зеленоградский нанотехнологический центр (ЗНТЦ) разработал фотолитограф для производства микросхем с разрешением 350 нм. Установка, созданная совместно с белорусской компанией «Планар», успешно прошла государственные испытания. Её ключевым нововведением стал твердотельный лазер, впервые использованный вместо традиционной ртутной лампы. Хотя технологический процесс 350 нм считается устаревшим, такое оборудование может быть востребовано в автомобильной и оборонной промышленности. Параллельно ЗНТЦ ведёт разработку фотолитографа для 130-нм техпроцесса, который планируется завершить к 2026 году.
Новая установка обладает рядом преимуществ перед предыдущими моделями: увеличена площадь рабочего поля (22×22 мм против 3,2×3,2 мм) и максимальный диаметр обрабатываемых пластин (200 мм вместо 150 мм). Кроме того, впервые в мире в качестве источника излучения для литографии был применён твердотельный лазер. По словам генерального директора ЗНТЦ Анатолия Ковалева, такой источник обладает большей мощностью, энергоэффективностью и долговечностью по сравнению с ртутными лампами.
Для справки, ведущий производитель литографического оборудования ASML (Нидерланды) использует два типа источников ультрафиолетового излучения в зависимости от требований технологического процесса: ртутные дуговые лампы и лазеры на основе фторида криптона (KrF) или фторида аргона (ArF). В 350-нм техпроцессах традиционно применялись ртутные лампы с длиной волны 365 нм, для 250-нм технологий и более совершенных использовали лазеры KrF (248 нм), а для техпроцессов 130 нм и менее — DUV-системы с ArF (193 нм).
Ранее твердотельные лазеры уже применялись в полупроводниковой индустрии, но в основном для вспомогательных задач, таких как контроль качества, поиск дефектов и механическая обработка кремниевых пластин. Теоретически они могли бы использоваться и для экспонирования при производстве чипов с литографическими нормами 250 нм и выше, однако с 90-х годов ASML делала ставку на эксимерные лазеры KrF и ArF.
В настоящее время ЗНТЦ адаптирует свою технологию под требования заказчиков и заключает контракты на поставку оборудования. Испытания будут проводиться на специализированной площадке центра, что позволит избежать простоев на работающих производствах.
Как пишет издание Tom`s Hardware, 350-нм техпроцесс сегодня считается устаревшим. В середине 1990-х годов Intel использовала этот узел для своих процессоров Pentium MMX, Pentium Pro и ранних Pentium II, а AMD в 1997 году выпустила процессор K6, используя ту же технологию.
Современные микросхемы выпускаются с технологическими нормами 5 нм и менее. В то же время российские компании, такие как «Ангстрем» и «Микрон», работают с техпроцессами в диапазоне 250–90 нм. Таким образом, новый фотолитограф не соответствует требованиям крупнейших отечественных производителей.
Несмотря на это, разработка ЗНТЦ может быть востребована в отдельных секторах, где востребованы зрелые технологии, например, при выпуске микросхем для автомобильной электроники и систем управления питанием. Также фотолитограф может найти применение в оборонной промышленности, где высокая производительность не всегда является приоритетом. Вероятно, главная задача нового устройства — послужить основой для более продвинутых моделей. В настоящее время ЗНТЦ ведёт работу над установкой для 130-нм техпроцесса, завершение которой запланировано на 2026 год.
Эта разработка вписывается в стратегический план, согласно которому Россия намерена достичь уровня 90-нм технологий к 2025 году, 28-нм к 2027-му и 14-нм к 2030-му. Однако ЗНТЦ и другие российские предприятия пока не укладываются в установленные сроки.-Источник
|
|
|
